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產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

REACH - SVHC:

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

晶體管極性: P-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 11.4 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 24 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 50 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 5 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: TrenchFET

系列: SI4

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Vishay Semiconductors

配置: Single

下降時(shí)間: 12 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 23 S

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 8 ns

2500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 P-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 45 ns

典型接通延遲時(shí)間: 10 ns

零件號(hào)別名: SI4435DDY-GE3

單位重量: 750 mg

詳情請(qǐng)聯(lián)系：15019275130 張小姐（微信號(hào)同手機(jī)號(hào)）