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產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性

制造商: Transphorm

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): GaN

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 29 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 85 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.7 V

Qg-柵極電荷: 9 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 96 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: SuperGaN

系列: Gen IV SuperGaN

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

商標(biāo): Transphorm

下降時(shí)間: 7.2 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 6.2 ns

50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 56 ns

典型接通延遲時(shí)間: 43.4 ns

詳情請(qǐng)聯(lián)系：15019275130 張小姐（微信號(hào)同手機(jī)號(hào)）